中国工程院院士微电子工艺技术专家吴汉明

发布时间：2021-08-09 00:56 来源：中国报道

中国报道讯(吴蜀丰报道)【编者按】在中华百家姓中，吴姓从古至今名人辈出，更是举足轻重，他们在各行业中发挥着重要的作用，无论是商界还是政坛，还是演艺界。他们永远是佼佼者!他们永远是吴姓人骄傲，也是学习的楷模和榜样。英才辈出的吴氏家族，在政界、军界、商界、学术界等领域发光发热，独当一面。
尤其在科学界，吴氏家族也诞生了众多的科学人才，他们延续了吴氏艰苦奋斗，开拓创新的品质，在某个领域取得卓越成绩，为祖国的生产建设做出了不可磨灭的贡献，赢得了中国工程院院士、中国科学院院士等荣誉达70余名。他们分别来自河北、山东、山西、浙江、安徽、甘肃、广东、广西、江苏、江西、福建、上海、辽宁、浙江、湖北、四川等省直辖市。其中吴氏祖地江苏省成为院士稳坐头把椅达18名。2020年64名中国工程院院士名单榜中的甘肃天水吴骊珠，安徽安庆吴宜灿榜上有名，他们永远是我们学习的楷模。

069吴汉明，1952年6月出生，微电子工艺技术专家，中国工程院院士，中芯国际集成电路制造有限公司技术研发副总裁，灿芯创智微电子技术（北京）有限公司总裁 [1] ，湖北大学微电子学院名誉院长。
1987年吴汉明从中国科学院力学研究所博士毕业后先到美国得克萨斯大学奥斯汀分校和加利福尼亚大学伯克利分校进行博士后研究；1993年归国后回到中国科学院力学研究所工作；1994年被破格提升为研究员；1995年到美国阿拉巴马一家公司工作；1999年加盟英特尔并但担任主任工程师；2001年进入中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，担任技术总监；2013年被评为北京市首批“北京学者”；2014年被评为第五届全国杰出专业技术人才；2019年当选中国工程院院士。

吴汉明组织推动中国国内设计公司产品在中芯国际制造，主持和参与了中国130-22纳米工艺技术研发。
1952年6月，吴汉明出生，初中还没念完就遇到文革下乡种地。
1976年，从中国科学技术大学毕业。
1978年，成为“文革”后第一批硕士研究生。

1987年，从中国科学院力学研究所毕业，获得等离子体和磁流体力学博士学位；博士毕业后先到美国得克萨斯大学奥斯汀分校和加利福尼亚大学伯克利分校进行博士后研究，同时在加州诺发公司和英特尔公司任高级研发工程师。

1993年，归国后晋升为中国科学院力学研究所工作。
1994年，被破格提升为研究员。
1995年，到美国阿拉巴马一家公司工作，两年便研发出世界第一套可商业化的等离子体工艺模拟的软件。
1999年，加盟英特尔，成为主任工程师。

2001年，进入中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，担任技术总监。
2010年，被选为中国国际半导体技术年会（CSTIC 2010）大会主席。
2011年，被推荐为中国工程院院士正式候选人。
2013年，被评为北京市首批“北京学者”。
2015年，进入中国工程院院士增选第二轮评选。
2019年11月22日，当选中国工程院院士。
2020年11月6日，受聘为湖北大学微电子学院名誉院长。

吴汉明研发高密度等离子体刻蚀，研究理论和实验结果表明其等离子体密度达到深亚微米刻蚀的要求，研究结果申报了国家发明专利，发表在国际专业期刊杂志上并得到广泛引用。研发了世界上第一套可以进行等离子体工艺模拟的商业软件并得到广泛使用。2001年进入中芯国际集成电路制造（北京）有限公司后，组建了先进刻蚀技术工艺部，领导了0.13微米刻蚀工艺，在中国实现了用于大生产的双镶嵌法制备工艺，为中国首次实现铜互连提供了工艺基础。